IGBT,絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點。西門康SEMIKRON賽米控IGBT模塊電子元器件2U

SEMITRANS是一種穩健的工業標準封裝，配備銅底板和用于電源連接的螺絲端子。SEMITRANS封裝采用低電感設計，可用于20kW至500kW的逆變器。通過多渠道采購的IGBT以及賽米控CAL二極管，這些模塊的規格可達到900A和 1700V。憑借超過25年的市場經驗，SEMITRANS封裝提供成熟可靠、久經考驗的標準化設計。西門康IGBT模塊分立半導體模塊一單元(1U)